Il laboratorio aSiDaS è dedicato alla deposizione di strati silicio amorfo idrogenato (a-Si:H) mediante tecnica di Deposizione Chimica da Vapore Assistita da Plasma (PECVD: Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). Al suo interno è presente la macchina che consente la crescita di materiali di silicio amorfo di tipo p, intrinseco e n sia su substrati rigidi sia flessibili. La deposizione controllata di queste giunzioni è volta alla fabbricazione di dispositivi optoelettronici, come fotodiodi e sensori di temperatura.
The aSiDaS laboratory is dedicated to the deposition of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) layers using the Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD). It hosts the PECVD system used for the controlled growth of p-type, intrinsic, and n-type a-Si:H junctions on both rigid and flexible substrates. These junctions are deposited as part of the fabrication process for optoelectronic devices, such as photodiodes and temperature sensors.
