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Strain related relaxation of the GaAs-like Raman mode selection rules in hydrogenated GaAs1−xNx layers

2019 - JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
Giulotto, E.; Geddo, M.; Patrini, M.; Guizzetti, G.; Sharma, Karyanand Mayank Shekhar; Capizzi, M.; Polimeni, A.; Pettinari, G.; Rubini, S.; Felici, M.

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