DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA DELL'INFORMAZIONE, ELETTRONICA E TELECOMUNICAZIONI

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department
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https://diet.web.uniroma1.it

Microelettronica

Presso il laboratorio di Microelettronica analogica il gruppo del Prof Trifiletti promuove ricerche che sono condotte anche in collaborazione con altri gruppi nazionali e internazionali principalmente sui seguenti argomenti 1 Progetto di IC analogi e RF multifunzionali 2 Progetto di ASIC e SoC digitali 3 Algoritmi di calibrazione di A/D e rice trasmettitori RF 4 Algoritmi di processamento del segnale per sistemi aerospaziali 5 Progettazione di IC sicuri per applicazioni crittografiche

Fotonica non lineare

Ricerca sulla propagazione di impulsi laser ultracorti di luce visibile e infrarossa ad alta potenza media e di picco in strutture ottiche guidanti per applicazioni alle telecomunicazioni, l'elaborazione ottica del segnale e la microscopia a scansione laser multifotone.

Research on the propagation of ultrashort visible and infrared laser pulses of high average and peak power in optical guiding structures for applications in telecommunications, optical signal processing, and multiphoton laser scanning microscopy.

 

aSiDaS - Caratterizzazione

Le ricerche riguardano la caratterizzazione (elettrica ed optoelettronica) di sensori e attuatori elettronici.

In particolare, questo laboratorio è dedicato alla caratterizzazione optoelettronica di dispositivi tramite misure di corrente-

tensione (I-V), di impedenza e di efficienza quantica (QE). Questo è reso possibile grazie alla presenza di

strumentazione elettronica di avanguardia ed in particolare di:

a. 1 probe station, MPI TS200-SE dotata di chuck da 8” con controllo termico da temperatura ambiente

aSiDaS - Deposizione Silicio amorfo

Il laboratorio aSiDaS è dedicato alla deposizione di strati silicio amorfo idrogenato (a-Si:H) mediante tecnica di Deposizione Chimica da Vapore Assistita da Plasma (PECVD: Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). Al suo interno è presente la macchina che consente la crescita di materiali di silicio amorfo di tipo p, intrinseco e n sia su substrati rigidi sia flessibili.

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